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\ 线性集成电路设计第三版\
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\作 者:(印)D.Roy ChoudhuryShail B.Jain著作 陈力颖 黄晓宗译者 著[译者]陈力颖 黄晓宗 译 \
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\定 价:49\
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\出 版 社:科学出版社\
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\出版日期:2010-08-01\
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\页 数:\
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\装 帧:平装\
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\ISBN:9787030274311\
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内容简介
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本书靠前版写于1991年,多次再版,重印,是一本线性集成电路设计课程的经典教材。
本书共10章;。详细介绍了IC的生产工艺、741系列运放的应用、555计时器、565 PLL、线性稳压器IC、78/79XX、723、A/D和D/A转换器,采用741的有源滤波器、开关电容滤波器以及OTA等器件的特性、功能、结构及设计方法。本书内容阐述简明扼要,条理清晰,各章都配有大量例题和习题,便于自学。
本书可作为高等院校电气工程、计算机工程等相关专业师生的参考用书,也可供相关科研工作者及工程技术人员参考。
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光刻可以将很好微小的电路和器件的图样移植到硅晶圆上,在1cm×1C1TI的芯片上可以制造出多达10000只晶体管。传统的光刻工艺利用紫外线进行曝光,器件大小和线宽可以小至2um,但是随着近期新X射线和电子束光刻技术的发展,器件尺寸已经能够深入亚微米级的范围(<1um)。
光刻涉及两个过程:制备成像掩膜板和光刻蚀。
成像掩膜的制造工序——首先制备原图,其次将其缩小。很初的芯片版图或者原图是在很终集成电路尺寸的数百倍下完成的,这是因为对一个微小的芯片而言,原图越大,很终的掩膜就越准确。例如,工艺中经常要求制造一个宽约为1mn(25gm)的开口,显然即使绘图师用很细的素描笔也无法达到这样的尺寸,因此绘图时经常......\\ \ \\